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DKDP普克尔斯盒点击购买

通光孔径

10~12

有效通光口径

≥90%

消光比

>1000~1500:1

电极类型

引线型

λ/4电压(V)

3400V

电容(pF)

< 8

插入损耗

<3%

激光损伤阈值

>700~800/cm² @1064nm 10ns 40Hz 光束无强点

产品详情

DKDP电光Q开关(Q-switch,Pockels Cells)因其独特的物理特性和优异的光学品质而广泛应用于大口径、高功率、窄脉宽 (<10ns)激光系统。 DKDP晶体是单轴晶体,具有优异的光学质量,其消光比>2000:1(使用632nm He-Ne激光测量),波前畸变98%。DKDP电光Q 开关电容小(约为3-5pF),因而上升时间短(<0.5ns),在调Q时可输出窄脉宽的脉冲激光。与市场上使用较广泛的电光晶体相比,DKDP晶体具有较高的损伤阈值; 在脉宽10ns、波长为1064nm、重复频率 10Hz的光学条件下,损伤阈值>1GW/cm²。

基本特性:

l  波前畸变: 低电容   l  上升时间短: ~3pF   l  高透过率: >98%   l  高损伤阈值: >1GW/cm2   l  无静态双折射,无光折变损伤

l  镀增透膜的保护性石英窗口   l  耐环境温度冲击和优异的电光性能


资料下载:

引线型DKDP开关参数.pdf

氮气封装DKDP开关参数.pdf

插针型DKDP开关参数.pdf

大口径DKDP开关参数.pdf

集成DKDP开关参数.pdf

定制DKDP开关参数.pdf